IRF7854TRPBF vs IRF7389PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7854TRPBF por Infineon e IRF7389PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7854TRPBF IRF7389PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,61
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Encapsulamento SO-8 SO-8 (SOIC-8) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) Generation V HEXFET
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Configuration — N and P-Channel (complementary half-bridge)
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) — 30 V
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) — -30 V
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) — 7.3 A
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) — -5.3 A
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max — 0.029 ohm at V_GS=10V
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max — 0.058 ohm at V_GS=10V
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical — 22 nC
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical — 23 nC
Power Dissipation (P_D) — 2.5 W
Pinout — Industry-standard complementary SO-8
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)

Fichas técnicas e recursos

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