IRFB3306PBF vs IRFS3306PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB3306PBF por Infineon e IRFS3306PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB3306PBF IRFS3306PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $1,28
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR HEXFET (MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 120 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Rds(on) max @ Vgs=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] 85 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 26 nC (nominal) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 230 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C -55C to +175C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB) surface mount
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
RoHS / Lead-Free (PbF) Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Avalanche Rated Yes —
Body Diode Intrinsic (avalanche-rated) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A (package limited)
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) — 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.2 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ — [DATA_NEEDED: Qgd nominal value]
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C — 230 W
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS — PbF (lead-free), RoHS compliant

Fichas técnicas e recursos

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