IRFB7545PBF vs IPB019N08N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB7545PBF por Infineon e IPB019N08N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB7545PBF IPB019N08N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $2,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7545PBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) MOSFET (Metal Oxide)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A —
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB (Through-Hole) PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount)
Tipo de montagem Through Hole (THT) Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
Nível MSL N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 180 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V
Drive Voltage (Rds On Max) — 6 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V — 206 nC
Input Capacitance (Ciss) — 14.2 nF
Output Capacitance (Coss) — 3.84 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 3.84 nF
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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