IRFH5301TRPBF vs BSC050N04LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH5301TRPBF por Infineon e BSC050N04LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH5301TRPBF BSC050N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,41
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (StrongIRFET) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (TA, 25C) 35 A —
Continuous Drain Current (TC, 25C) 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 1.85 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 37 nC (typical) —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Encapsulamento PQFN (5x6 mm) Single Die PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Logic Level Optimized for 5 V VGS drive —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Qualification JEDEC standard —
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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