IRFR3607TRPBF vs IRFR1205TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR3607TRPBF por Infineon e IRFR1205TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR3607TRPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,39 | $0,49 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 56 A | — |
| Calculated Die Drain Current | 80 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | 2 V min, 4 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC | 43.3 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 140 W | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) | — |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Avalanche SOA | Fully characterized | — |
| RoHS / Lead-Free | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +175C |
| Status RoHS | — | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |