IRFR4620TRLPBF vs IRFR220NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR4620TRLPBF por Infineon e IRFR220NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR4620TRLPBF IRFR220NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,72 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET HEXFET (Planar)
Encapsulamento / Caixa TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +175C —
Lead Free Yes —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

Fichas técnicas e recursos

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