IRFR4620TRLPBF vs IRFR220NPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFR4620TRLPBF от Infineon и IRFR220NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFR4620TRLPBF | IRFR220NPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,72 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFR4620TRLPBF | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 24 A at Tc | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 78 mOhm max at VGS=10V | — |
| Gate Charge (Qg) | 25 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) | 144 W at Tc | — |
| Technology | IR MOSFET | HEXFET (Planar) |
| Корпус / Типоразмер | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55C to +175C | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Уровень MSL | 1 (Unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 5 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 43 W |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.6 ohm at VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, lead-free (PBF suffix) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet characterization) |
| Число выводов | — | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab |