IRFR5505TRLPBF vs IRF9Z34NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR5505TRLPBF por Infineon e IRF9Z34NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR5505TRLPBF IRF9Z34NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,65
Polarity P-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
VGS (Gate-Source Voltage) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) -18 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max 110 mOhm (VGS = -10 V) —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Power Dissipation (PD) 57 W (Tc = 25 °C) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC] —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) HEXFET (5th generation)
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Nível MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -19 A
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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