IRFR9120NTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR9120NTRLPBF por Infineon e IRFR5305TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR9120NTRLPBF IRFR5305TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,38
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Yes —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Fichas técnicas e recursos

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