IRFZ44NPBF vs IRLZ44NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ44NPBF por Infineon e IRLZ44NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ44NPBF IRLZ44NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,68
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Encapsulamento TO-220AB (3-pin + tab) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (advanced process)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 110 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.4 °C/W
Logic-Level Gate Drive — Yes (fully enhanced at VGS=5V)

Fichas técnicas e recursos

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