IRL2910STRLPBF vs IRFB7545PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRL2910STRLPBF por Infineon e IRFB7545PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRL2910STRLPBF IRFB7545PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $0,95
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Infineon/IR) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 55 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 380 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V 26 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ Logic-level (1V-2V) —
Total Gate Charge (Qg) 93.3 nC —
Power Dissipation @ TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation @ TC=25C 200 W —
Encapsulamento D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB (Through-Hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole (THT)
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (TJ) —
Status RoHS Compliant —
Livre de halogênio Compliant (per GlobalSpec) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
Nível MSL — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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