IRLML0030TRPBF vs IRLML6246TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML0030TRPBF por Infineon e IRLML6246TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML0030TRPBF IRLML6246TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,11
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) —
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento Micro3 / SOT-23 (3-pin) SOT-23 (Micro3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Nível MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLML6246TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 46 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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