IRLML0030TRPBF vs IRLML6246TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRLML0030TRPBF 제조: Infineon 및 IRLML6246TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ 활성
Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRLML0030TRPBF IRLML6246TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.13 $0.11
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) —
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W —
동작 온도 범위 -55C to +150C -55C to +150C (junction)
패키지 Micro3 / SOT-23 (3-pin) SOT-23 (Micro3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
MSL 레벨 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
RoHS 상태 Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLML6246TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 46 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
할로겐 프리 — Yes

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