IRLR024NTRPBF vs IRLR3105TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLR024NTRPBF por Infineon e IRLR3105TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLR024NTRPBF | IRLR3105TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,46 | $0,36 |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 65 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.0 V to 2.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10 nC (typical) | 13.3 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 45 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) |
| Technology | HEXFET (Advanced Process Technology) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 25 A |
| Rds(on) max @ VGS=10V | — | 37 mOhm |
| Rds(on) max @ VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±16 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 710 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 57 W |
| Gate Drive Type | — | Logic-Level |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TRPBF) |
| Supplier Device Package | — | TO-252AA (DPAK) |