IRLR2705TRPBF vs IRLR3410TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR2705TRPBF por Infineon e IRLR3410TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR2705TRPBF IRLR3410TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,81
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] —
RDS(on) Max at VGS=10V 40 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (compatible with 4V drive) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 22.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 68 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET generation 5) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, RoHS compliant) Yes (PBF suffix)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Fichas técnicas e recursos

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