IRLR2705TRPBF vs IRLR3410TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLR2705TRPBF от Infineon и IRLR3410TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRLR3410TRPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRLR3410TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLR2705TRPBF IRLR3410TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,36 $0,81
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] —
RDS(on) Max at VGS=10V 40 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (compatible with 4V drive) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 22.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 68 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET generation 5) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, RoHS compliant) Yes (PBF suffix)
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C (junction)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену