IRLR3114ZTRPBF vs IRLR2908TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3114ZTRPBF por Infineon e IRLR2908TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3114ZTRPBF IRLR2908TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,55
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C -55C to +175C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 (2 + tab) —
Status RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V — 28 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V — 22.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 120 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) range]
Configuration — Single with built-in diode
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

Fichas técnicas e recursos

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