IRLR3114ZTRPBF vs IRLR2908TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3114ZTRPBF por Infineon y IRLR2908TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3114ZTRPBF IRLR2908TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,55
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C -55C to +175C
Encapsulado TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 (2 + tab) —
Estado RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V — 28 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V — 22.5 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 120 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) range]
Configuration — Single with built-in diode
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

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