ISA150233C03LMDSXTMA1 vs IRF7854TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISA150233C03LMDSXTMA1 por Infineon e IRF7854TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISA150233C03LMDSXTMA1 IRF7854TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
N-channel Continuous Drain Current (Ta) 7.6 A —
N-channel Continuous Drain Current (Tc) 10.2 A —
P-channel Continuous Drain Current (Ta) 6.6 A —
P-channel Continuous Drain Current (Tc) 8.8 A —
Total Power Dissipation (Ta) 1.4 W —
Total Power Dissipation (Tc) 2.5 W —
Encapsulamento PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad) SO-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Marking Code 1523C03L —
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET HEXFET (planar N-channel)
Channel Type N-channel + P-channel enhancement mode —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C (TJ)
Status RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Fichas técnicas e recursos

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