ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC008N06LM6ATMA1 por Infineon e ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC008N06LM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) -55C to +175C (junction)
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
Estilo de montagem Surface Mount, Tape & Reel —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
Livre de halogênio Yes —
Technology — OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Encapsulamento — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Tipo de montagem — Surface Mount
Status RoHS — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fichas técnicas e recursos

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