ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC008N06LM6ATMA1 제조: Infineon 및 ISC037N12NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC008N06LM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.82 | $3.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc | 378 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 221 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (Tj) | -55C to +175C (junction) |
| Package Type | PG-TDSON-8 (Surface Mount) | — |
| 장착 스타일 | Surface Mount, Tape & Reel | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS / Lead-Free Status | RoHS Compliant, Lead-Free | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Technology | — | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| 패키지 | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |