ISC009N06NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC009N06NM6ATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC009N06NM6ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,68 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 5 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C | 344 A | — |
| Power Dissition (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 221 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |