ISC011N03L5SATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC011N03L5SATMA1 por Infineon e BSZ011NE2LS5IATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC011N03L5SATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,47 | $0,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (Trench) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |