ISC011N06LM5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC011N06LM5ATMA1 por Infineon e IPT067N20NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC011N06LM5ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $4,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Encapsulamento PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +150C (junction)
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Product Family — OptiMOS 6
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
Configuration — Single N-channel

Fichas técnicas e recursos

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