ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC015N04NM5ATMA1 por Infineon e ISC058N04NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
ISC058N04NM5ATMA1 - 40V 63A 5.8mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
ISC058N04NM5ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | ISC015N04NM5ATMA1 | ISC058N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,98 | $0,60 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | -55C to +175C |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Nível MSL | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | — |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 63 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 17 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | — | 5.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.4 V |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 42 W |
| Encapsulamento | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL per JEDEC J-STD-020 |
| Gate Drive Level | — | Normal Level (10V VGS recommended) |