ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon e BSC019N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC015N06NM5ATMA1 | BSC019N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,62 | $0,92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C | -55C to +150C (junction) |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| Part Number | — | BSC019N06NSATMA1 |
| Technology / Family | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.95 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 136 W |
| Nível MSL | — | 1 |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |