ISC025N08NM5LF2ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC025N08NM5LF2ATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,74 $0,41
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2 Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 198 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 2.55 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max 3.9 V —
Total Gate Charge (Qg) Max 96 nC —
Power Dissipation @ TA 3 W —
Power Dissipation @ TC 217 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (Surface Mount) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +175 °C (TJ)
Polarity N-Channel —
Status RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
Nível MSL — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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