ISC033N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC033N03LF2SATMA1 por Infineon e ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC033N03LF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,81 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| MPN | ISC033N03LF2SATMA1 | — |
| Part Family | OptiMOS LF2 (<= 40V) | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS trench (<= 40V) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 108 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 22 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum On-Resistance RDS(on) max | 3.3 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | 2.35 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 71 W | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Junction Temperature (TJ) max | [DATA_NEEDED: junction temperature max] | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |