ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon e IAUS300N08S5N011TATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC037N12NM6ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,62 $2,65
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C (Tj)
Status RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Number of Channels — 1
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

Fichas técnicas e recursos

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