ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC060N06NM6ATMA1 por Infineon e ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC060N06NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,33 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 6
Configuration Single N-Channel —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) —
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] —
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Número de pinos — 8
Channel Mode — Enhancement
Temperatura de operação — -55 °C to +175 °C

Fichas técnicas e recursos

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