ISC060N10NM6ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC060N10NM6ATMA1 por Infineon e BSC0906NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC060N10NM6ATMA1 BSC0906NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,43 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 100 V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A 63 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +150C (junction, typical)
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) OptiMOS
Polarity N-Channel —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Contagem de pinos — 8

Fichas técnicas e recursos

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