ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC060N10NM6ATMA1 por Infineon e ISC011N03L5SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | ISC060N10NM6ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,43 | $0,47 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 100 V | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 15 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 97 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typical) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Temperatura de operação | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |