ISC800P06LMATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC800P06LMATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC800P06LMATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,61 | $0,41 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 19.6 A | 256 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | 83 W | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Lead-Free | Yes (per Infineon product page) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |