ISZ019N03L5SATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon e ISZ033N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ019N03L5SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A 20 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 109 A
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2.35 V max @ 30 uA
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg typ]
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 FL (8-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (TJ max) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
FET Type — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Technology — OptiMOS 5
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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