ISZ019N03L5SATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon y ISZ033N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ019N03L5SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A 20 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 109 A
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2.35 V max @ 30 uA
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg typ]
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 FL (8-pin)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (TJ max) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
FET Type — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Technology — OptiMOS 5
Estado RoHS — Compliant

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