ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISZ056N03LF2SATMA1 por Infineon e ISZ028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ AtivoInfineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | ISZ056N03LF2SATMA1 | ISZ028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,49 | $0,49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | StrongIRFET 2 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16 A | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 72 A | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | 2.35 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C | -55C to +175C (junction, typical) |
| Encapsulamento | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.8 mΩ |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (logic level at 4.5 V) |
| Nível MSL | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |