K3LK8K80CM-MFCP vs K3K8K80BM-MGCP Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K3LK8K80CM-MFCP por Samsung Electronics e K3K8K80BM-MGCP por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K3LK8K80CM-MFCP | K3K8K80BM-MGCP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Tipo de memória | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM (DRAM) |
| Density | 48 Gbit (6 GB) | 64 Gb |
| Organização da memória | [DATA_NEEDED: organization (x width)] | 2G x 32 |
| Pin Speed | 6400 Mbps | — |
| Data Rate (package) | 51.2 GB/s (family max) | — |
| Interface | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) | LPDDR5 (CMOS) |
| Encapsulamento | 315-ball FBGA (MFCP) | FBGA-315 (PBGA315) |
| Ball Count | 315 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -40 C to +105 C (automotive-grade) | -25C to +85C |
| Tensão de alimentação | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Power Saving vs LPDDR4X | Approximately 20% | — |
| Generation | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) | — |
| Application Grade | Automotive-grade storage chip | — |
| Place of Origin | Johor, Malaysia | — |
| Status RoHS | unknown | Compliant |
| Taxa de dados | — | 6400 Mbps |
| Supply Voltages | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology | — | CMOS |
| Memory Category | — | Volatile DRAM |
| Lead Free | — | Yes |
| Application Class | — | Specialized ICs / Memory |
| I/O Width | — | 32-bit |