K3LK8K80CM-MFCP vs K3K8K80BM-MGCP 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3LK8K80CM-MFCP 제조: Samsung Electronics 및 K3K8K80BM-MGCP 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3LK8K80CM-MFCP | K3K8K80BM-MGCP |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM (DRAM) |
| Density | 48 Gbit (6 GB) | 64 Gb |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: organization (x width)] | 2G x 32 |
| Pin Speed | 6400 Mbps | — |
| Data Rate (package) | 51.2 GB/s (family max) | — |
| 인터페이스 | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) | LPDDR5 (CMOS) |
| 패키지 | 315-ball FBGA (MFCP) | FBGA-315 (PBGA315) |
| Ball Count | 315 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40 C to +105 C (automotive-grade) | -25C to +85C |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Power Saving vs LPDDR4X | Approximately 20% | — |
| Generation | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) | — |
| Application Grade | Automotive-grade storage chip | — |
| Place of Origin | Johor, Malaysia | — |
| RoHS 상태 | unknown | Compliant |
| 데이터 속도 | — | 6400 Mbps |
| Supply Voltages | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology | — | CMOS |
| Memory Category | — | Volatile DRAM |
| Lead Free | — | Yes |
| Application Class | — | Specialized ICs / Memory |
| I/O Width | — | 32-bit |