K3LKBKB0BM-MGCP vs K3LK8K80CM-MFCP Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K3LKBKB0BM-MGCP por Samsung Electronics e K3LK8K80CM-MFCP por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K3LKBKB0BM-MGCP K3LKBKB0BM-MGCP - 32Gbit LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKBKB0BM-MGCP - 32Gbit LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKBKB0BM-MGCP ✓ Ativo
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K3LKBKB0BM-MGCP K3LK8K80CM-MFCP
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $46,62 $0,00
Tipo de memória DRAM (LPDDR5 SDRAM) LPDDR5 SDRAM
Tamanho da memória 32 Gbit —
Organização da memória 1G x 32 [DATA_NEEDED: organization (x width)]
Taxa de dados 6400 Mbps per pin —
Supply Voltage Rails 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
Interface LPDDR5 x32 LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface)
Encapsulamento FBGA-315 315-ball FBGA (MFCP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -25C to +85C -40 C to +105 C (automotive-grade)
Technology Generation LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) —
Status RoHS Compliant unknown
Density per Package 4 GB (32 Gbit) —
Refresh Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) —
Application Segment Mobile, embedded, industrial computing —
Standby / Deep Sleep LPDDR5 deep-sleep power states —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Access Time / Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Density — 48 Gbit (6 GB)
Pin Speed — 6400 Mbps
Data Rate (package) — 51.2 GB/s (family max)
Ball Count — 315
Tensão de alimentação — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Power Saving vs LPDDR4X — Approximately 20%
Generation — LPDDR5 (5th generation low-power DRAM)
Application Grade — Automotive-grade storage chip
Place of Origin — Johor, Malaysia

Fichas técnicas e recursos

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