K4A4G085WD-BCTD vs MT40A512M8RH-075E:B Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A4G085WD-BCTD por Samsung Electronics e MT40A512M8RH-075E:B por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A4G085WD-BCTD MT40A512M8RH-075E:B
Marca Samsung Electronics Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,05 $2,15
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Die Generation D-die —
Density 4 Gb 4 Gbit
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Taxa de dados 2666 Mbps/pin 2666 MT/s (DDR4-2666)
Tensão de alimentação 1.2 V —
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)]
Encapsulamento 78-ball FBGA 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA
Ball Pitch 0.8 mm —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface DDR4 (JEDEC-compatible) —
Speed Class DDR4-2666 (PC4-21300) —
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Clock Frequency — 1333 MHz (1.33 GHz)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Tipo de interface — Parallel
I/O Structure — 1.2V pseudo open-drain
Tensão de referência — On-die internal adjustable VREFDQ generation
Refresh — Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features)
Speed Grade Suffix — -075E
Packaging Option Suffix — :B (ball map B designation per Mouser listing)

Fichas técnicas e recursos

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