K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A4G165WD-BCTD por Samsung Electronics e K4A4G165WD-BCPB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $19,00 | $3,10 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | 2133 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Interface | SSTL-12 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | 4 bank groups x 4 banks |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +85C (commercial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free suffix) |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | D-die |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |