K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCTD Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BCRC por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BCTD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ AtivoSamsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78
K4A8G085WB-BCTD ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,80 | $7,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 1G x 8 | — |
| Taxa de dados | 2400 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperatura de operação | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb (1G x 8) |
| Speed Bin | — | CL22-22-22 |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B78 |
| Status RoHS | — | Compliant |