K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BCTD Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BITD por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BCTD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung | FBGA-78

K4A8G085WB-BCTD ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BCTD
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,80 $7,50
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organização da memória 1G x 8 —
Taxa de dados 2666 Mbps 3200 Mbps (PC4-25600)
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Temperatura de operação -40°C to +95°C 0°C to +95°C (TC)
Encapsulamento 78FBGA FBGA-78 (TFBGA)
Tipo de montagem Surface Mount —
Número de pinos 78 —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
Interface Parallel —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tamanho da memória — 8 Gb (1G x 8)
Speed Bin — CL22-22-22
Burst Length — 8 (BL8)
On-Die Termination — Yes (ODT)
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
JESD-30 Code — R-PBGA-B78
Number of Terminals — 78

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação