K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16HA-107AAT:E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BYH9 por Samsung Electronics e MT41K256M16HA-107AAT:E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AtivoMicron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16HA-107AAT:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,30 | $5,95 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 1333 Mbps | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35V |
| Temperatura de operação | 0 ~ 85 °C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Encapsulamento | 96FBGA | 96-FBGA (9x14mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latência CAS | Programmable | 13 (typical) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Tipo de memória | — | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |