K4B4G1646F-BYMA vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646F-BYMA por Samsung Electronics e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646F-BYMA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,30 | $14,32 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) | — |
| Taxa de dados | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| Encapsulamento | 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) | FBGA-96 |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Latência CAS | CL=13 (at 1.35V) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Interface | 16-bit I/O | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Número de pinos | — | 96 |