K4RAH086VB-BIQK vs K4RHE086VB-BCWM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VB-BIQK por Samsung Electronics e K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH086VB-BIQK | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,25 | $7,65 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 24 Gb |
| Organização da memória | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Taxa de dados | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| Encapsulamento | 82FBGA | 82 FBGA |
| Configuration | X8 | x8 |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| Interface | DDR5 (CA reduced pin count) | DDR5 (JEDEC) |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Status RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | unknown |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.1 V |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |