K4RAH086VB-BIQK vs K4RHE086VB-BCWM 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4RAH086VB-BIQK 제조: Samsung Electronics 및 K4RHE086VB-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VB-BIQK | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.25 | $7.65 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 24 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| 패키지 | 82FBGA | 82 FBGA |
| Configuration | X8 | x8 |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| 인터페이스 | DDR5 (CA reduced pin count) | DDR5 (JEDEC) |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | unknown |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 공급 전압 | — | 1.1 V |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |