K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BIQK Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH165VB-BCQK por Samsung Electronics e K4RAH165VB-BIQK por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BIQK
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Taxa de dados 4800 Mbps 4800 Mbps (MT/s)
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Error Correction On-die ECC —
Recursos Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento 106-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
Tipo de montagem Surface Mount —
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
Status do ciclo de vida Active —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
Organização da memória — 1G x 16
On-Die ECC — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
Marca — Samsung Semiconductor

Fichas técnicas e recursos

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