K4RBH046VM-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RBH046VM-BCWM por Samsung Electronics e K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RBH046VM-BCWM K4RAH086VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $11,35 $44,55
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Tamanho da memória 32 Gb 16 Gb
Memory Organization 2G x 4 —
Taxa de dados 5600 Mbps 5600 Mbps
Tensão de alimentação 1.1 V 1.1 V
Memory Interface Parallel —
Technology DRAM DRAM (volatile)
Memory Format Volatile —
Temperatura de operação 0 C to 85 C Commercial temperature range (per datasheet)
Encapsulamento 78-ball FBGA FBGA-82
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Sample —
Manufacturer Samsung Electronics —
Speed Grade DDR5-5600 BCWM
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Access Time / CL [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Organização da memória — 2G x 8
Interface — DDR5 (parallel)
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
Status do ciclo de vida — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Fichas técnicas e recursos

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