K4RBH046VM-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH046VM-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RBH046VM-BCWM K4RAH086VB-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $11,35 $44,55
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Taille de mémoire 32 Gb 16 Gb
Memory Organization 2G x 4 —
Débit de données 5600 Mbps 5600 Mbps
Tension d'alimentation 1.1 V 1.1 V
Memory Interface Parallel —
Technology DRAM DRAM (volatile)
Memory Format Volatile —
Température de fonctionnement 0 C to 85 C Commercial temperature range (per datasheet)
Boîtier 78-ball FBGA FBGA-82
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Sample —
Manufacturer Samsung Electronics —
Speed Grade DDR5-5600 BCWM
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Access Time / CL [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Interface — DDR5 (parallel)
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
Statut du cycle de vie — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Fiches techniques et ressources

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